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      PECVD氦質譜檢漏

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          PECVD技術是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應。其優點是基本溫度低；沉積速率快；成膜質量好，針孔較少，不易龜裂。

          在PECVD工藝中由於等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應。因此PECVD設備對反應腔室及管道的泄漏要求很高，必須要應用水蜜桃一三四专区來查找漏點。

      水蜜桃在线视频科技A500幹泵氦質譜檢漏儀查漏時，都是將檢漏儀接到設備的檢漏預留口，由近及遠的對懷疑的漏點逐處噴氦，直到查到所有漏點為止。

      Pecvd2.jpg

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